行業(yè)新聞

    1.5企業(yè)入圍聯(lián)通IDC/ISP安全管理系統(tǒng)專用設(shè)備產(chǎn)品類集采C114通信網(wǎng) 6月20日消息，中國聯(lián)通日前發(fā)布公告顯示，IDC/ISP安全管理系統(tǒng)專用設(shè)備產(chǎn)品類集采項(xiàng)目采用單一來源方式采購。

    此次采購選取現(xiàn)網(wǎng)處理能力較高信安EU設(shè)備（不低于100G）在升級(jí)至信安3.0基礎(chǔ)上疊加部署基礎(chǔ)網(wǎng)安功能；現(xiàn)網(wǎng)省端管理控制單元CU擴(kuò)容升級(jí)（含升級(jí)信安CU模塊，新建數(shù)安CU模塊、新建網(wǎng)安CU模塊、新建統(tǒng)一接口控制單元）、現(xiàn)網(wǎng)信安EU存量設(shè)備升級(jí)至信安3.0。

    2.三星計(jì)劃在 2025 年開始大規(guī)模生產(chǎn)基于 GAA 的 2nm 芯片據(jù)BusinessKorea6月20日消息，三星電子計(jì)劃在未來三年內(nèi)打造3 納米 GAA（Gate-all-around）工藝來追趕世界最大的代工公司——臺(tái)積電。GAA 是改進(jìn)了半導(dǎo)體晶體管的結(jié)構(gòu)的新一代工藝技術(shù)，使柵極可以接觸到晶體管的所有四面，比 FinFET 工藝更精確地控制電流。三星希望通過技術(shù)進(jìn)步縮小與臺(tái)積電的差距，在 6 月初將 3 納米 GAA工藝的晶圓用于試生產(chǎn)，成為了全球首家使用 GAA 技術(shù)的公司。3 納米工藝將半導(dǎo)體的性能和電池效率分別提高了 15% 和 30%，同時(shí)芯片面積比 5 納米工藝減少了35%。三星計(jì)劃在 2023 年將其引入第二代 3納米芯片，并在 2025 年實(shí)現(xiàn)基于 GAA 的 2 納米芯片的規(guī)模生產(chǎn)。